愛知県名古屋市港区の不用品回収

したがって、3・54図のように、PN接合にかける電圧の方向によって、両側のキャリヤが引きつけられたり広がったりする。つまり、電圧ダイ(整によって静電容量が大きく変化することを利用したものが可変容量ダイオードで〔注〕*1958年、電電公社電気通信研究所の喜田昭一氏によって発明されたので、キタダイオードともいう。3・53図ン鞣剛はオ・ドはリコン3・3ぃろいろな半導体3-22ふつう逆方向に電圧をかけて使用する。瞥fi『[]1辱li:;:|]ピ変えたのち、自動的に微調整を行顔なうAFT装置、自動周波数制御3・54図PN接合の空乏層の伸び縮み。(AFQ等に用いられている。また、パラメトリック増幅器*や周波数てい倍**に用いられるマイクロ波用のダイオードはパラクタと呼ばれ、しゃ断周波数は数1∞(GHz)***に及んでいる。(5)定電圧ダイオードシリコン接合形ダイオードの逆方向特性を3・58図でみると、電圧の小さいうちはほんのわずかしか電流が流れないが、ある電圧(ゼナー電圧)以上では急激に逆方向電流が増加する。この現象をPN接合の降伏と3・55図′ヽラメトリツクダイオード3・56図パラメトリックダイオ…ドの構造例(点接触形)。広くなぅし空乏層(a)13(W)(b)1(W)3。57BIyt)ayEl-n'4*-F〔注〕*10章のメーパの項参照。**周波数を何倍かに上げること。***1(GHz)は、lCXXl(MHz)のことである。3-283章半導導線ンール容器形拡散層膨Si自の台3。58tsvta//4t-ro#&。3159図定電圧ダイオードの構造。

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